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transcend/創(chuàng)見 MTE720T & MTE720T-I

創(chuàng)見M.2 2280固態(tài)硬盤MTE720T以112層3D NAND閃存打造，搭載高速PCIe Gen 4 x4接口，符合最新NVMe 1.4規(guī)范，內(nèi)置8通道控制器，帶來前所未有的傳輸效能。創(chuàng)見MTE720T固態(tài)硬盤內(nèi)置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機(jī)訪問速度，同時搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(Corner Bond)技術(shù)以及抗硫化電阻，強(qiáng)化關(guān)鍵組件保護(hù)，抵御嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用環(huán)境。MTE720T經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測試，具備類寬溫特性（-20°C~75°C），在急遽溫差變化下仍能穩(wěn)定運(yùn)作，展現(xiàn)高度可靠性。

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外觀
尺寸	80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量	9 g (0.32 oz)
M.2規(guī)格	2280-D2-M (雙面的)
外觀尺寸	M.2 2280
界面
總線接口	NVMe PCIe Gen4 x4
存儲
容量	512 GB/ 1 TB/ 2 TB/ 4 TB
Flash類型	112層3D閃存
操作環(huán)境
工作電壓	3.3V±5%
工作溫度	類寬溫 -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) 寬溫 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
儲存溫度	-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
濕度	5% ~ 95%
耐沖擊	15 G, 11 ms, 3 axis
耐振動 (操作中)	20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)
電量
耗電量 (操作中)	5.8 瓦
耗電量 (IDLE)	0.8 瓦
效能
連續(xù)讀寫速度(CrystalDiskMark)	讀取: 高達(dá) 7,500 MB/s 寫入: 高達(dá) 6,700 MB/s
4K隨機(jī)讀寫速度(IOmeter)	讀取: 高達(dá) 540,000 IOPS 寫入: 高達(dá) 440,000 IOPS
平均故障間隔(MTBF)	3,000,000 小時
寫入兆位元組(TBW)	高達(dá) 5,920 TBW
每日全盤寫入次數(shù)(DWPD)	1.35 (3 年)
備注	傳輸速度會因您的系統(tǒng)效能（硬件、軟件、使用方式、產(chǎn)品容量）而有所不同。用于評估DWPD的工作負(fù)載可能與實(shí)際工作負(fù)載不同，實(shí)際工作負(fù)載可能因（硬件、軟件、使用情況、產(chǎn)品容量）而異。寫入兆位元組（TBW)數(shù)值以該系列產(chǎn)品最高容量為主。