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創(chuàng)見DDR4-2400 U-DIMM

創(chuàng)見DDR4 U-DIMM內(nèi)存模塊采用頂級(jí)顆粒與組件所制而成,通過(guò)縝密的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試,適用于新一代Intel? Skylake桌面計(jì)算機(jī)平臺(tái)。每支內(nèi)存模塊具備2400MHz時(shí)脈頻率,提供每秒高達(dá)19GB的傳輸速率,可大幅提升系統(tǒng)運(yùn)作效率。此外,創(chuàng)見DDR4 U-DIMM擁有1.2伏特低工作電壓特性,不但能減低運(yùn)作時(shí)的溫度,還能減少內(nèi)存控制器的電力負(fù)荷,相較于標(biāo)準(zhǔn)DDR3的1.5伏特電壓,更能達(dá)到節(jié)能減碳的目標(biāo)。

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簡(jiǎn)介

創(chuàng)見DDR4 U-DIMM內(nèi)存模塊采用頂級(jí)顆粒與組件所制而成,通過(guò)縝密的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試,適用于新一代Intel? Skylake桌面計(jì)算機(jī)平臺(tái)。每支內(nèi)存模塊具備2400MHz時(shí)脈頻率,提供每秒高達(dá)19GB的傳輸速率,可大幅提升系統(tǒng)運(yùn)作效率。此外,創(chuàng)見DDR4 U-DIMM擁有1.2伏特低工作電壓特性,不但能減低運(yùn)作時(shí)的溫度,還能減少內(nèi)存控制器的電力負(fù)荷,相較于標(biāo)準(zhǔn)DDR3的1.5伏特電壓,更能達(dá)到節(jié)能減碳的目標(biāo)。

特色

容量 DRAM 創(chuàng)見型號(hào) 描述
4GB 512Mx8 TS512MLH64V4H 4GB DDR4 2400 U-DIMM 1Rx8
8GB 1Gx8 TS1GLH64V4B 8GB DDR4 2400 U-DIMM 1Rx8
8GB 512Mx8 TS1GLH64V4H 8GB DDR4 2400 U-DIMM 2Rx8
16GB 1Gx8 TS2GLH64V4B 16GB DDR4 2400 U-DIMM 2Rx8

規(guī)格

內(nèi)存模塊
RAM種類 DDR4
DIMM種類 U-DIMM
頻率 2400
時(shí)序 CL17
容量 4 GB/ 8 GB/ 16 GB
Rank 1Rx8/ 2Rx8
DRAM 1Gx8/ 512Mx8
電壓 1.2V
電路板高度 1.23 吋
Pin 288 pin
備注 產(chǎn)品外觀因型號(hào)不同而有所差異,圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)際產(chǎn)品為準(zhǔn)。

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