閃存的一個(gè)特性就是隨著閃存的使用以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間的變長，存儲(chǔ)在閃存里面的數(shù)據(jù)容易發(fā)生比特翻轉(zhuǎn)，出現(xiàn)隨機(jī)性錯(cuò)誤。這個(gè)問題隨著閃存制程的變小越發(fā)嚴(yán)重。因此使用閃存作為存儲(chǔ)介質(zhì)的固態(tài)硬盤，需要采用一些數(shù)據(jù)完整性的技術(shù)來確保用戶數(shù)據(jù)可靠不丟失。常見的技術(shù)有:

• ECC 糾錯(cuò)
• RAID 數(shù)據(jù)恢復(fù)
• 重讀(Read Retry)
• 掃描重寫技術(shù)(Read Scrub)
• 數(shù)據(jù)隨機(jī)化

讀錯(cuò)誤來源

閃存數(shù)據(jù)發(fā)生錯(cuò)誤，主要有以下幾個(gè)原因:
1.擦寫次數(shù)增多 
隨著閃存塊擦寫次數(shù)增多，氧化層逐漸老化，電子進(jìn)出存儲(chǔ)單元越來越容易，因此存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元的電荷容易發(fā)生異常，導(dǎo)致數(shù)據(jù)讀錯(cuò)誤

2. 數(shù)據(jù)保留

隨著時(shí)間的推移，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元的電子會(huì)流失，整個(gè)閾值電壓分布向左移動(dòng)，導(dǎo)致讀數(shù)據(jù)的時(shí)候發(fā)生誤判

3.讀干擾

4.存儲(chǔ)單元之間干擾

5. 寫錯(cuò)誤
寫錯(cuò)誤一般發(fā)生在MLC或者TLC 2-Pass（先寫Lower Page，然后再寫Upper page)寫過程中。寫Upper page的時(shí)候，它是基于之前Lower page的狀態(tài)，然后再寫每個(gè)存儲(chǔ)單元到目標(biāo)狀態(tài)。如果寫Upper page的時(shí)候，Lower page數(shù)據(jù)已經(jīng)出錯(cuò)（注意寫Upper的時(shí)候，Lower Page的數(shù)據(jù)是不會(huì)經(jīng)過控制器ＥＣＣ糾錯(cuò)的，寫過程發(fā)生在閃存內(nèi)部），就會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)單元寫到一個(gè)不期望的狀態(tài)，即發(fā)生寫錯(cuò)誤。

數(shù)據(jù)一開始就寫錯(cuò)了，當(dāng)然就別指望讀對(duì)了。

TLC 1-Pass program則沒有這個(gè)問題，因?yàn)長ower Page和Upper page是一次性同時(shí)寫入，寫Upper page不依賴于Lower Page數(shù)據(jù)。當(dāng)然，如果一開始擦除狀態(tài)就不對(duì)，那么還是會(huì)發(fā)生寫錯(cuò)誤。

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