無論采用何種存儲技術(shù)，存儲的數(shù)據(jù)都不能永遠保存，在閃存中都會有一段時間：

Data retention是數(shù)據(jù)保存時間的問題。到了期限，數(shù)據(jù)會出錯，標(biāo)志著ECC無法成功糾正閃存讀取的數(shù)據(jù)。

我們知道閃存通常有以下錯誤：

1、電氣問題：  

如虛焊接或芯片故障，導(dǎo)致正常命令無法執(zhí)行或數(shù)據(jù)錯誤率異常高。這個問題將在閃存或固態(tài)硬盤出廠測試時發(fā)現(xiàn)。

2、讀、寫和擦拭失敗：  

基本命令執(zhí)行失敗，結(jié)果可以通過狀態(tài)位讀取。這些問題也可能發(fā)生在芯片使用過程中，但概率很小。

3、ECC糾錯失敗:  

其實數(shù)據(jù)錯誤率太高，超出了糾錯算法的糾錯能力。Data retention是罪魁禍?zhǔn)字弧ｉW存存儲的機制是通過量子隧道效應(yīng)將電子轉(zhuǎn)移到浮柵層并停留在那里。隨著時間的推移，電子仍然有一定的可能性離開浮柵層，回到通道里面，離開更多的電子可能會導(dǎo)致單元閱讀的結(jié)果，即數(shù)據(jù)錯誤。

Data retention與浮柵層下的氧化層厚度有關(guān)。畢竟，氧化層越厚，電子離開的概率越小。研究表明，如果氧化層厚度為4.5nm，則理論數(shù)據(jù)可保存10年。