Nand Flash閃存顆粒中根據(jù)存儲(chǔ)密度的差異可分為SLC、MLC、TLC和QLC四種，分別代表什么意思？有什么區(qū)別呢？今天Agrade睿達(dá)就跟大家系統(tǒng)地梳理一下這些名詞分別指什么，它們又有什么區(qū)別。

按照存儲(chǔ)方式劃分，NAND閃存已經(jīng)發(fā)展了四代：

第一代SLC（Single-Level Cell）每單元可存儲(chǔ)1比特?cái)?shù)據(jù)(1bit/cell)，性能好、壽命長(zhǎng)，可經(jīng)受10萬(wàn)次編程/擦寫(xiě)循環(huán)，但容量低、成本高，如今已經(jīng)非常罕見(jiàn)；

第二代MLC（Multi-Level Cell）每單元可存儲(chǔ)2比特?cái)?shù)據(jù)(2bits/cell)，性能、壽命、容量、成各方面比較均衡，可經(jīng)受1萬(wàn)次編程/擦寫(xiě)循環(huán)，現(xiàn)在只有在少數(shù)高端SSD中可以見(jiàn)到；

第三代TLC（Trinary-Level Cell）每單元可存儲(chǔ)3比特?cái)?shù)據(jù)(3bits/cell)，性能、壽命變差，只能經(jīng)受3千次編程/擦寫(xiě)循環(huán)，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，是當(dāng)前最普及的；

第四代QLC（Quad-Level Cell）每單元可存儲(chǔ)4比特?cái)?shù)據(jù)(4bits/cell)，性能、壽命進(jìn)一步變差，只能經(jīng)受1000次編程/擦寫(xiě)循環(huán)，但是容量更容易提升，成本也繼續(xù)降低。

SSD固態(tài)硬盤(pán)一直在追求更大的容量和更低的成本，而存儲(chǔ)單元是 固態(tài)硬盤(pán)的核心元件，選擇SSD實(shí)際上就是在選擇存儲(chǔ)顆粒。所以會(huì)迫使Flash芯片廠商一直更新制程，以滿足用戶(hù)的需求。

Flash閃存顆粒中每Cell單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)越多，單位面積容量就越高，但同時(shí)導(dǎo)致不同電壓狀態(tài)越多，越難控制，所以導(dǎo)致顆粒穩(wěn)定性變差，壽命變低，各有利弊。相對(duì)于SLC來(lái)說(shuō)，MLC的容量大了100%，壽命縮短為SLC的1/10；相對(duì)于MLC來(lái)說(shuō)，TLC的容量大了50%，壽命縮短為MLC的1/3；相對(duì)于TLC來(lái)說(shuō)，QLC的容量大了33%，壽命縮短為T(mén)LC的1/3。

目前在SLC、MLC、TLC、QLC閃存顆粒中，TLC已經(jīng)是主角，QLC是未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。QLC顆粒跟前幾種顆粒相比最大的優(yōu)勢(shì)是價(jià)格便宜，容量大，雖然P/E壽命低，但是大容量的優(yōu)點(diǎn)很好的彌補(bǔ)了這個(gè)弱點(diǎn)。TLC又有2D-TLC與3D-TLC兩種，目前市面上以3D-TLC居多。3D-TLC又再細(xì)分為32層3D-TLC、64層3D-TLC、96層3D-TLC以及最新的128層3D-TLC。

我們來(lái)總結(jié)一下，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，這四類(lèi)閃存顆粒中，SLC的性能最優(yōu)，價(jià)格也是最高，一般用作對(duì)于可靠性、穩(wěn)定性和耐用性有極高要求的工業(yè)控制、航天軍工、通信設(shè)備等企業(yè)級(jí)客戶(hù)；MLC性能夠用，穩(wěn)定性比較好，價(jià)格適中，為工業(yè)級(jí)和車(chē)規(guī)級(jí)SSD應(yīng)用主流；TLC是目前消費(fèi)級(jí)SSD的主流，價(jià)格便宜，但可以通過(guò)高性能主控、主控算法來(lái)彌補(bǔ)、提高TLC閃存的性能；QLC是奔著更大容量和更低成本來(lái)的，相信QLC閃存顆粒會(huì)使得固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)入大容量廉價(jià)時(shí)代。